DRAM ETF（Roundhill Memory）成份股與近一個月每日振幅數據

一、DRAM ETF（DRAM.US）核心成份股（最新權重）

本ETF為美股純存儲晶片主題ETF，2026年4月成立，聚焦全球DRAM／NAND記憶體龍頭，持倉高度集中，前十大權重涵蓋全球存儲產業核心廠商，整體產業代表性極高。

- SK海力士｜權重 18.95%（全球DRAM龍頭）

- 三星電子｜權重 13.60%（全球存儲雙巨頭之一）

- 美光科技（Micron）｜合計權重 24.14%（含現股+互換合約，美系唯一存儲巨頭）

- 鎧俠（Kioxia）｜權重 7.55%（原東芝存儲，NAND龍頭）

- 閃迪（SanDisk/SNDK）｜權重 5.37%

核心特徵：三星、SK海力士、美光三大DRAM寡頭合計權重超過75%，走勢高度綁定全球DRAM晶片報價與AI算力需求景氣度。

二、近一個月每日振幅（2026/5/26–6/25，美股交易日）

振幅計算公式：(當日最高價－當日最低價) ÷ 當日最低價 ×100%，為短線波動、題材彈性核心指標。

交易日

全日高低區間（美元）

单日振幅

2026/05/26

57.05 – 61.32

7.48%

2026/05/27

59.05 – 62.68

6.15%

2026/05/28

59.91 – 63.64

6.23%

2026/05/29

62.16 – 64.29

3.43%

2026/06/01

65.46 – 68.76

5.04%

2026/06/02

67.05 – 70.15

4.62%

2026/06/03

67.50 – 70.02

3.73%

2026/06/04

63.18 – 67.12

6.24%

2026/06/05

55.38 – 61.17

10.45%

2026/06/08

58.95 – 61.61

4.51%

2026/06/09

55.45 – 63.63

14.75%

2026/06/10

57.07 – 61.25

7.32%

2026/06/11

59.16 – 65.15

10.12%

2026/06/12

62.90 – 66.17

5.20%

2026/06/15

68.76 – 71.18

3.52%

2026/06/16

67.60 – 72.61

7.41%

2026/06/17

69.61 – 73.14

5.07%

2026/06/18

75.00 – 77.70

3.60%

2026/06/22

79.07 – 81.34

2.87%

2026/06/23

68.59 – 73.07

6.53%

2026/06/24

67.13 – 71.79

6.94%

2026/06/25

73.50 – 79.60

8.30%

三、近一月波動總結

1. 區間振幅極大：單日最大振幅達14.75%（6/9），最小振幅2.87%（6/22），多數交易日振幅維持5%–8%，短線彈性極強，屬高波動題材ETF。

2. 波動驅動核心：AI算力擴張帶動DRAM晶片缺貨、報價上漲，疊加蘋果硬體漲價、下游消費電子毛利受壓，資金持續往上游存儲晶片集中，帶動DRAM ETF反覆輪動拉升。

3. 最新催化（6/25）：蘋果股價重挫當日，DRAM ETF逆势大振幅上行，完美體現「下游利空、上游獲利」的產業利潤轉移格局。